天津天物金佰微电子有限公司
企业简介
  天津天物金佰微电子有限公司成立于2014年3月,位于天津市西青开发区赛达工业园,是一家集研发、制造与销售于一体的高新技术企业。公司由天津物产化轻金佰贸易有限公司与天津市立正科技发展有限公司共同出资组建而成。 天津市立正科技发展有限公司是隶属于天津市华苑产业园区的高科技企业。专业研发和生产各类半导体基础元器件。公司自1999年成立今通过不断的努力建立了一整套完整半导体器件研发、生产和销售体系,在深圳、香港建有办事机构,客户包含众多国内外相关知名企业。公司现有专业技术人员30多名,专业的技术团队使公司具有较强的新产品开发和创新力量。公司现拥有一条4寸硅片平面工艺生产线,年生产量达到5亿支半导体芯片;一条完整台面工艺生产线,瞬变电压二极管芯片、双向触发管及快恢复整流二极管芯片年生产能力可达到20亿支;玻封和塑封两条二极管封装线已形成了规模化生产,成品二极管的年生产能力可达到10亿支。 天津物产化轻国际贸易有限公司是天津市物资集团总公司(世界500强排名185位)全资子公司,公司是按照现代企业制度要求在原有天津市化轻贸易有限公司、天津市化工轻工材料总公司的基础上,通过对其有形资产、无形资产的整合,于2009年12月29日组建成立的。公司座落于天津市西青开发区大寺工业园内,注册资本3亿元人民币。公司本部为新建的13层办公大楼两座,共2.7万平米。2011年实现销售收入150亿元,销售量260万吨,进出口贸易额10亿美元。化工贸易规模在全国同行业中列位,在天津市百强企业排序中列44位。并被市命名为首批亿元楼纳税大户,当年上交税收达1.2亿元。同时,公司还是中国物流采购联合会所属的中国化轻物资流通协会。两家公司强强联合,资金与技术优势互补合资成立天津天物金佰微电子有限公司,也开启了天物集团进军微电子产业的序幕。公司计划三年内预计投资1亿元人民币,项目建设完成后将具有半导体器件前、后道完整产业链,具备实现年产出40亿只以上SMD表面贴装半导体分离器件的超强生产能力。为中国大陆境内的SMD贴装产品生产基地之一,并且可提供约500人以上的业机会。 二.主要产品及应用介绍 公司利用先进的GPP半导体前道工艺技术,自主研发和生产整流二极管、快恢复二极管、高速整流二极管、双向触发二极管、稳压管、TVS芯片等芯片产品,并以后道封装生产线为载体形成规模化SMD贴装系列产品。 SMD贴装器件以它的轻、薄、小等优势特点,更加适用于众多的小型化电子产品, 目前SMD表面贴装二极管、整流桥等电子器件已在家电、照明、通讯、军工、汽车电子电路等领域得到广泛应用,仅中国市场年需求量超过1000亿只,随着电子行业的不断发展及新应用领域的出现,SMD贴装器件的需求量会进一步扩大。
天津天物金佰微电子有限公司的工商信息
  • 120111000149611
  • 91120111093755807T
  • 存续
  • 有限责任公司
  • 20140321
  • 王建民
  • 1000万人民币
  • 20140321 至 20340320
  • 天津市西青区市场和质量监督管理局
  • 20160817
  • 天津市西青经济技术开发区赛达工业园5号厂房
  • 半导体零部件、半导体硅材料加工、制造;机电一体化、电子产品技术开发、技术服务、技术转让;机电设备、电子元器件、通讯器材、电器设备批发兼零售;机械设备租赁;货物及技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
天津天物金佰微电子有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN205295467U 一种新型双槽沟槽蚀刻设备 2016.06.08 本实用新型提供一种新型双槽沟槽蚀刻设备,包括机架,位于所述机架上间隔设置的酸洗池和水洗池,以及位于所
2 CN205845962U 一种玻璃钝化高压双向触发二极管 2016.12.28 本实用新型提供了一种玻璃钝化高压双向触发二极管,其制备工艺如下:步骤1,采用p型硅片进行化学抛光;步
3 CN205303424U 半自动芯片裂片机 2016.06.08 本实用新型提供了一种半自动芯片裂片机,包括设备底座、旋转承片台、活动龙门架、导轨、电机、传动机构和电
4 CN205289078U 一种硅片清洗装置 2016.06.08 本实用新型提供了一种硅片清洗装置,包括清洗槽、喷淋管、清洗篮、清洗槽侧壁一、清洗槽侧壁二、硅片垫板,
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6 CN105590884A 半自动芯片裂片机及裂片方法 2016.05.18 本发明提供了一种半自动芯片裂片机及裂片方法,包括设备底座、旋转承片台、活动龙门架、导轨、电机、传动机
7 CN105405896A 一种玻璃钝化高压双向触发二极管及制备工艺 2016.03.16 本发明提供了一种玻璃钝化高压双向触发二极管,其制备工艺如下:步骤1,采用p型硅片进行化学抛光;步骤2
8 CN105244382A 一种变容二极管管芯及其制备方法 2016.01.13 本发明提供一种变容二极管管芯及其制备方法,所述管芯上具有两层钝化层,第一钝化层位于PN结与银台电极之
9 CN204732417U 一种变容二极管管芯 2015.10.28 本实用新型提供一种变容二极管管芯,所述管芯上具有两层钝化层,第一钝化层位于PN结与银台电极之间,但不
10 CN104659110A 稳压二极管及其加工工艺 2015.05.27 本发明提供一种稳压二极管及其加工工艺,稳压二极管芯片工艺设计使用N/N-双外延片,钝化层包括由下到上
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